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XY6102 XY6104 XY6105 XY6112[產(chǎn)品打印頁面]


產(chǎn)品名稱: XY6102 XY6104 XY6105 XY6112
產(chǎn)品型號: XY6102 XY6104 XY6105 XY6112
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電話:021-54939377   021-54939344
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電話:18917856796   13701607944
產(chǎn)品文檔: 無相關(guān)文檔
簡單介紹
XY6102 XY6104 XY6105 XY6112分別替代THX203(TFC718S),THX202(TFC719),THX208(TFC619),PIN to PIN ,具有以下特色: 1.效率提高4-6%. 2.溫度減低30-40%. 3.VCC 提高1-3V 4.消除空載噪音問題. 5.改善內(nèi)部電路,解決FB腳擊穿問題. 6.可靠性大大提高.控制在1‰以內(nèi).

XY6102 XY6104 XY6105 XY6112 的詳細介紹
XY6102 XY6104 XY6105 XY6112分別替代THX203(TFC718S),THX202(TFC719),THX208(TFC619),PIN to PIN ,具有以下特色: 1.效率提高4-6%. 2.溫度減低30-40%. 3.VCC 提高1-3V 4.消除空載噪音問題. 5.改善內(nèi)部電路,解決FB腳擊穿問題. 6.可靠性大大提高.控制在1‰以內(nèi). 7.XY6112最高可做到15W(12V以上),12W無需散熱片. 8.基本無須更改電路,即可替換,直接產(chǎn)生效果. XY6112<=15W XY6105<=6W XY6104<=5W

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XY6112為高性能,電流模式PWM 控制器。內(nèi)置高壓功率管,在AC85-350V的寬電壓范
圍內(nèi)提供高達12W 的連續(xù)輸出功率。高性價比的雙極型制作工藝生產(chǎn)的控制芯片,結(jié)合高
壓功率管的一體化封裝最大程度上節(jié)約了產(chǎn)品的整體成本。該電源控制器可工作于典型的
反激電路拓撲中,構(gòu)成簡潔的AC/DC轉(zhuǎn)換器。IC內(nèi)部的啟動電路可利用功率開關(guān)管本身的
放大作用完成啟動,很大程度地降低了啟動電阻的功率消耗;而在輸出功率較小時IC將自
動降低工作頻率,從而實現(xiàn)了很低的待機功耗;**的驅(qū)動電路使開關(guān)管工作于臨界飽和
狀態(tài),提高了系統(tǒng)的工作效率,使系統(tǒng)可以輕松滿足“能源之星”關(guān)于待機功耗和效率的
認證要求。在實現(xiàn)待機降頻的同時限制工作頻率進入音頻范圍,防止音頻噪音的產(chǎn)生。
4-12V的工作電壓范圍提供了輕松的VCC電壓設(shè)計空間,同時VCC達到12V時芯片內(nèi)部保護,
限制輸出功能可防止光耦或反饋電路損壞引起的輸出電壓過高,IC內(nèi)部還提供了完善的防
過載與防飽和功能,可實時防范過載、變壓器飽和、輸出短路等異常狀況,提高了電源的
可靠性。IC內(nèi)部還集成了溫度保護功能,在系統(tǒng)過熱的情況下降低輸出功率,或關(guān)閉輸出。
現(xiàn)可提供DIP8的標準封裝和滿足ROHS標準。
圖1:電路框圖
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二、特點XY6102 XY6104 XY6105 XY6112
   滿足AC85-350V 的輸入電壓范圍的設(shè)計要求。
   具有待機降頻功能,無音頻噪音問題,待機功耗可做到0.25W以下
   高效的驅(qū)動電路,比同類產(chǎn)品效率高4-5%。
   和同類產(chǎn)品比芯片發(fā)熱減小40%
   能滿足能源之星2.0 關(guān)于效率和待機功耗的最新要求。
   具有溫度補償功能,**電流控制
   低啟動電流和低工作電流,4-12V的寬工作壓范圍。
   寬電壓連續(xù)輸出功率可達12W, 峰值輸出功率可達15W
   過溫保護功能(OTP)
   過壓保護功能(OVP)
   可靠性高
   可實現(xiàn)無Y電容系統(tǒng)設(shè)計
  極少的外圍元器件,整體方案成本低
三、應(yīng)用范圍XY6102 XY6104 XY6105 XY6112
  小家電(如:電磁爐)
  充電器
  電源適配器(如通信終端產(chǎn)品) 
  DVD/DVB電源電腦,LCD TV待機電源
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四、引腳功能描述XY6102 XY6104 XY6105 XY6112
管腳符號管腳定義描述
1 OB 功率管基極,啟動電流輸入,外接啟動電阻
2 VCC 供電腳
3 GND 接地腳
4 CT 開關(guān)頻率設(shè)定腳,外接定頻電容
5 FB 反饋腳
6 IS 開關(guān)電流取樣與限制設(shè)定腳,外接電流取樣電阻
7,8 OC 輸出腳,接開關(guān)變壓器
備注:PCB Layout時應(yīng)將Pin6與Pin7之間保留1mm以上的**距離,避免產(chǎn)生放電現(xiàn)象。
圖2:芯片腳位圖
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五、極限參數(shù)XY6102 XY6104 XY6105 XY6112
供電電壓VCC:16V
引腳輸入電壓:VCC+0.3V
OC 集電極承受電壓:-0.3-750V
峰值開關(guān)電流:800mA
總耗散功率:1000mW
工作溫度范圍:0---+125℃
儲存溫度范圍:-55---+150℃
焊接溫度:+260℃,10S
六、推薦工作條件XY6102 XY6104 XY6105 XY6112
項目最小典型最大單位
供電電壓,VCC 5 10 V
引腳輸入電壓-0.3 - Vcc V
峰值反向電壓- - 700 V
峰值開關(guān)電流- - 650 mA
定時電容650 680 920 PF
對應(yīng)頻率65 61 45 KHz
工作溫度0 125 ℃
電氣參數(shù)(Ta=25℃, Vcc=5.5-7.5V, Ct=680PF, RS=1Ω)
項目測試條件最小典型最大單位
開關(guān)管最大耐壓Ioc=10mA 750 - - V
開通飽和壓降Ioc=600mA - - 1 V
輸出上升時間CL=1nF - - 75 ns
輸出下降時間CL=1nF - - 75 ns
輸出限制電流Tj=0-100℃ 540 580 620 mA
振蕩器部分
項目測試條件最小典型最大單位
振蕩頻率Ct=680PF 55 61 67 KHz
頻率隨電壓變化率Vcc=5.5-9V - - 1 %
頻率隨溫度變化率Ta=0-85℃ - - 1 %
前沿消隱時間Ct=680PF - 800 - ns
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反饋部分
項目測試條件最小典型最大單位
上拉電流- 0.50 0.60 mA
輸入阻抗
下拉電阻- 30 - KΩ
電源抑制比Vcc=5.5-9V - 60 70 dB
電流取樣部分
項目測試條件最小典型最大單位
電流取樣門限0.54 0.58 0.62 V
防上限電流RS=1Ω 0.54 0.58 0.62 A
電源抑制比- 60 70 dB
傳輸延時- 150 250 ns
脈寬調(diào)制部分
項目測試條件最小典型最大單位
最大占空比53 57 61 %
最小占空比- - 3.5 %
電源電流
項目測試條件最小典型最大單位
啟動接受電流1.6 2.0 2.4 mA
啟動靜態(tài)電流- 55 80 μA
靜態(tài)電流Vcc=8V - 2.8 - mA
啟動電壓8.6 8.8 9.0 V
振蕩器關(guān)閉電壓4.0 4.3 4.5 V
再啟動電壓- 3.8 - V
VCC限制電壓10.5 10.7 11 V
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七、原理描述XY6102 XY6104 XY6105 XY6112
啟動控制:啟動階段內(nèi)部基準,震蕩器和驅(qū)動電路及各種保護電路停止工作,芯片以60UA的
小電流工作,啟動電阻上的電流經(jīng)OB輸入到Q1的基極,經(jīng)放大后的電流從OE流出經(jīng)過限流電
路到芯片的VCC腳,大于60UA的電流部分給VCC并聯(lián)的電容充電,當VCC電壓達到8.8V后芯片
開始工作,芯片進入PWM控制狀態(tài)。
PWM控制:芯片F(xiàn)B引腳電壓經(jīng)內(nèi)部電阻分壓后輸出給PWM比較器作為開關(guān)電流峰值的基準信
號, FB信號的大小決定了開關(guān)管峰值電流的大小從而通過FB的控制實現(xiàn)了PWM控制,同時輸
出脈沖的占空比還受最大占空比的限制,對FB的控制可以通過內(nèi)部控制電路和外部反饋電路
實現(xiàn)。
外部反饋電路:系統(tǒng)輸出誤差調(diào)整信號經(jīng)過放大后轉(zhuǎn)換成電流信號通過光藕的隔離傳輸來調(diào)
整FB的電壓,負載越重,光藕電流越小FB電壓就越高,PWM信號的占空比就越大,輸出功率
就增加,反之亦然,輸出負載輕,反饋電流增加,F(xiàn)B電壓減小,占空比減小,輸出減小,從
而實現(xiàn)了輸出電壓的調(diào)整。
VCC過電流保護電路: 若外圍反饋試圖使VCC大于12V,則由芯片內(nèi)部電路反饋到FB,使FB
電壓降低,從而使輸出功率降低,使VCC穩(wěn)壓在12V,利用此特性可以保護在光耦或反饋電
路故障的情況下輸出電壓升高。從而可以保護次級電路及其輸出的負載不會損壞。
待機降頻控制電路:在待機狀態(tài)下,輸出電壓升高,F(xiàn)B電壓拉低,若FB小于1.8V(約在1.2-1.8V
之間)振蕩器周期將隨之增加,F(xiàn)B越小振蕩器周期越寬、但限制頻率最小不小于20KHz,此特
性降低了開關(guān)電源的待機功耗同時又防止音頻干擾的出現(xiàn)。
高效的驅(qū)動電路:高效的驅(qū)動電路使開關(guān)管工作于臨界飽和驅(qū)動狀態(tài),提高三極管的工作頻
率。從而有效地減小了三極管的開關(guān)損耗,提高整個系統(tǒng)的工作效率同時大大減小了芯片的
發(fā)熱。使系統(tǒng)工作更可靠。
熱保護功能: 內(nèi)部溫度高于140℃后從內(nèi)部拉低FB電壓以調(diào)寬振蕩器的周期,從而減小或關(guān)
閉輸出功率,使XY6112溫度不超過150℃,實現(xiàn)保護作用
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八、電參數(shù)定義XY6102 XY6104 XY6105 XY6112
啟動靜態(tài)電流:VCC接濾波電容和可調(diào)電流源,CT接680PF,其它引腳懸空,能使VCC振
蕩時(即能完成XY6112啟動的)最小電流源電流。啟動電壓:上述VCC振蕩的最大VCC值。再
啟動電壓:上述VCC振蕩的最小VCC值。振蕩器關(guān)閉電壓:上述VCC振蕩下降沿,使振蕩器停
振的VCC值。靜態(tài)電流:正常階段,F(xiàn)B由1.0K電阻接地,VCC電源電流。振蕩器上拉/下拉電
流:FB=2.5V, CT=1.25V,CT處上拉/下拉電流。FB上拉電流:正常階段,F(xiàn)B=2.5V,IS=0V
時,F(xiàn)B處上拉電流。FB防上限電流:正常階段,F(xiàn)B=6V IS=0.3V,F(xiàn)B處下拉電流。VCC限制電
壓:無外圍待機反饋電路的XY6112電源,正常階段時VCC值。OC上限電流:FB=6V,F(xiàn)B下拉電
流開始動作時的最小OC電流。
九、應(yīng)用信息:
  CT 定時電容與開關(guān)頻率的關(guān)系
由內(nèi)部電流源對CT 電容進行100uA恒流充電形成時鐘的上升沿,在充電電壓至2.5V時,
內(nèi)部電路將以1.9mA的下拉電流對CT放電,形成時鐘的下降沿,完成一個時鐘周期,一個時
鐘周期約為:T=CT*24000 (S) Fs=1/T (Hz)。
盡管雙極型電路也能工作在較高的頻率下,但對于雙極功率開關(guān)而言,仍需考慮存儲
時間對開關(guān)損耗的影響。通常比較合適的開關(guān)頻率約在70KHz 以下。在一般的應(yīng)用場合可
將XY6112的CT電容按680PF配置,此時對應(yīng)的工作頻率約為61KHz左右。
  FB 反饋與控制
在正常工作狀態(tài),F(xiàn)B的電壓將決定最大開關(guān)電流的值,此電壓越高開關(guān)電流越大(僅
受限于峰值電流限制)。FB引腳內(nèi)部上拉600uA電流源,下拉電阻約30KΩ(近似等效值),
可外接電阻到地降低反饋深度,外接電阻的大小以不影響最大峰值電流為準,推薦使用
7.5K-10K的電阻, 外接電阻可提高系統(tǒng)對過載和輸入電壓跳變的的反應(yīng)速度,有利于短路
保護。此外在FB電壓低于1.8V時,將使振蕩周期加大,開關(guān)頻率下降,低于1.8V越多,開
關(guān)頻率將越低。外接FB電容將對反饋帶寬產(chǎn)生影響,進而影響某些外部參數(shù),比如瞬態(tài)特
性。
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圖3:反饋與控制電路圖
對于CFB電容的值,典型應(yīng)用可在10-100nF之間根據(jù)反饋回路的頻率特性進行選取,
一般應(yīng)用可以使用22nF。
  過溫度保護
IC內(nèi)部集成了**的過溫度保護功能。在芯片內(nèi)部溫度達到140℃時,熱保護電路動作,
將時鐘信號下拉,使開關(guān)頻率降低,降低功耗。開關(guān)頻率隨溫度的升高而降低,直至振蕩
器關(guān)閉。如下圖所示:
圖4:過溫保護曲線圖
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  功率管驅(qū)動特性與高耐壓偏置技術(shù)
IC內(nèi)部集成了獨特的偏置技術(shù),在功率管關(guān)斷時,OB輸出立即下拉到地,同時偏置OE
輸出電壓大于OB電壓,反向偏置發(fā)射結(jié),加速Ic電流的下降速度,擴展了有效的**工作區(qū),
開關(guān)管承受反向的CB電壓,使得開關(guān)管達到大于750V的電壓承受能力。關(guān)于更詳細的開關(guān)管
耐壓特性請參考相關(guān)的技術(shù)數(shù)據(jù)。
圖5: 三極管耐壓特性曲線
偏置波形如下圖所示:
圖6: Vbe 驅(qū)動電壓波形
  過壓與欠壓保護
IC具有帶遲滯的欠電壓保護功能。在VCC電壓達到8.8V時IC開始啟動,這個初始的啟
動電壓有驅(qū)動電阻提供,輸入的高電壓通過驅(qū)動電阻注入開關(guān)管的基極,放大的Ic電流在
IC內(nèi)部經(jīng)過限制電路對VCC電容充電,從而形成驅(qū)動電壓。在IC 正常工作時應(yīng)保持VCC電
壓在4.8-11V之間(包括滿負載輸出的情況),若VCC電壓下降到4.4V則振蕩器將進入關(guān)閉
狀態(tài),VCC進一步降低到3.8V時,IC即開始重新啟動。如下圖所示:
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圖7:過壓保護示意圖
IC內(nèi)部VCC具有一個上限電壓比較器控制,若VCC 試圖大于12V,則比較器動作,F(xiàn)B將被
下拉,鎖定VCC至12V,達到過電壓的限制功能。利用此功能可以方便地實現(xiàn)前端的電壓反饋
功能,也可避免輸出開環(huán)時的輸出電壓大幅度升高現(xiàn)象,保障負載的**。因為此特性的存
在,VCC的設(shè)計應(yīng)保持在合適的范圍,避免在大輸出負載時VCC的上升過高,IC過壓限制動作
導致的輸出電壓下降現(xiàn)象。
  線圈最大電流編程和驅(qū)動電流補償電路
圖8:線圈最大電流編程和驅(qū)動電流補償電路
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IC具有逐周期電流限制功能。每個開關(guān)周期均對開關(guān)電流進行檢測,達到FB 設(shè)定的電
流或防上限電流時即進入關(guān)周期,電流的檢測具有實時前沿消隱功能,屏蔽開關(guān)尖峰,避
免開關(guān)電流的錯誤檢測。合理的溫度補償則消除了溫度的影響,相對常規(guī)的MOSFET(溫度
變化時的Ron變化很大)開關(guān)芯片,開關(guān)電流在一個較寬的范圍都可以非常精準,這樣將允
許設(shè)計者在設(shè)計方案時不必留有太大的余量即可滿足較大的工作溫度范圍,提高電路的使
用**性。
在芯片內(nèi)部IS腳到地并接有一個電阻R1,用于補償內(nèi)部驅(qū)動電流對線圈電流檢測的影
響,其對應(yīng)關(guān)系為I drive * R1=0.6V,最大的線圈電流根據(jù)功率大小計算后可由外部電阻
R2進行編程確定,其對應(yīng)關(guān)系為:I winding(max) = 0.6V/R2,由于內(nèi)部電阻R1的存在,
在計算R2阻值時不用考慮內(nèi)部驅(qū)動電流對線圈電流的影響。
  散熱要求
盡管由于驅(qū)動技術(shù)的突破,芯片內(nèi)部損耗(發(fā)熱)比PIN TO PIN的其他產(chǎn)品減少40%,
但對于一個典型的功率開關(guān)而言,應(yīng)使用必要的散熱措施,以避免過高的溫度導致熱保護。
IC內(nèi)部主要的發(fā)熱是開關(guān)管的開關(guān)損耗產(chǎn)生的熱量,因此恰當?shù)纳嵛恢檬荌C的Pin7-8腳,
一個易于使用的方法是在Pin7-8腳鋪設(shè)一定面積的PCB銅箔,尤其在銅箔之上鍍錫處理將大
大增加散熱能力。對于一個85-265V輸入,12W 輸出的典型應(yīng)用,200mm2
的銅箔面積是必
要的。
圖9:散熱圖
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  VCC電容設(shè)計
VCC電壓上升到8.8V開始啟動,在正常啟動完成前VCC電容要存儲作夠多的電量提供給芯
片工作,直到建立正常輸出電壓;因此VCC電容不能太小,合理的VCC電容在47uF-100uF之間。
十、應(yīng)用電路
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十一、封裝尺寸


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