PrimoD-RIE于2007年12月正式發(fā)布，主要面向65nm及45nm工藝、300mm晶圓。與市場(chǎng)上的現(xiàn)有產(chǎn)品相比處理能力提高35-50%、成本則降低30-40%。AMEC于2007年6月向客戶交付了測(cè)試機(jī)。該設(shè)備是中國(guó)本土生產(chǎn)的核心設(shè)備**進(jìn)入國(guó)際主流生產(chǎn)線。

一般來(lái)說(shuō)，等離子體刻蝕工藝主要包括三類：濺射、化學(xué)刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕(Reactive IonEtching，RIE)。RIE通過(guò)活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕，具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。目前，RIE已成為VLSI中應(yīng)用最廣泛的主流刻蝕工藝。

PrimoD-RIE主要針對(duì)300mm芯片制造，具有單晶圓獨(dú)立加工環(huán)境。此設(shè)備擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，以及高頻和低頻混合射頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕的等離子體源，可加工65/45納米芯片，并可延伸到下一代更**芯片制造。其應(yīng)用包括極深接觸孔刻蝕、硬掩膜刻蝕、金屬接觸孔刻蝕、淺槽刻蝕等各種電介質(zhì)刻蝕。通過(guò)低頻率RF與高頻率RF的分離，實(shí)現(xiàn)了等離子密度和能源的獨(dú)立控制，可應(yīng)用于DRAM、閃存、邏輯等制造。

AMEC成立于2004年，由尹志堯和他的硅谷伙伴一起組建。作為在美國(guó)打拼了超過(guò)20年的典型硅谷創(chuàng)業(yè)者，其理科背景出身、多年美國(guó)大公司高管的經(jīng)歷，讓尹志堯成了一個(gè)懂技術(shù)、擅經(jīng)營(yíng)的老板。AMEC目前已進(jìn)入刻蝕與CVD市場(chǎng)，與應(yīng)用材料、Lam、TEL等公司成了“同行”。其總部設(shè)在英屬開(kāi)曼群島，開(kāi)發(fā)基地位于上海市，銷(xiāo)售基地位于新加坡。得益于技術(shù)上的突破和風(fēng)險(xiǎn)投資的支持，AMEC有望成為國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備巨頭們的強(qiáng)有力競(jìng)爭(zhēng)者。

目前，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)正持續(xù)轉(zhuǎn)向消費(fèi)電子，消費(fèi)者對(duì)終端價(jià)格的敏感度讓芯片制造企業(yè)感受到****的壓力，成本已成為決定芯片制造公司能否成功的關(guān)鍵之一。芯片制造業(yè)向亞洲轉(zhuǎn)移已是毋庸置疑，但是作為上游的半導(dǎo)體設(shè)備工業(yè)卻仍然根在美國(guó)本土。中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一直以來(lái)都是“路漫漫”并“上下求索”，缺乏自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和核心**的保護(hù)是困難所在。那么，在產(chǎn)業(yè)日益成熟，并且成本成為主要驅(qū)動(dòng)力的情況下，如何發(fā)揮本土設(shè)備的優(yōu)勢(shì)引得眾人苦苦思索。

其實(shí)，中國(guó)本土設(shè)備企業(yè)可以采取一系列的辦法來(lái)跨越**障礙，例如：與世界**的設(shè)備企業(yè)聯(lián)合，共同開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品新工藝；加強(qiáng)與**用戶的直接合作，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵零部件的國(guó)產(chǎn)化；聯(lián)合國(guó)內(nèi)的院校和研究所，引進(jìn)國(guó)際上的先進(jìn)技術(shù)人才等。對(duì)于突破口，與其考慮技術(shù)難度大、易受?chē)?guó)外制約的關(guān)鍵設(shè)備，不如重視技術(shù)難度相對(duì)小而又量大面廣的設(shè)備。

半導(dǎo)體設(shè)備的戰(zhàn)場(chǎng)上，AMEC繞開(kāi)“豪門(mén)”設(shè)備之爭(zhēng)，以“中國(guó)制造”的優(yōu)勢(shì)獲得國(guó)際同行的首肯，此番獲獎(jiǎng)?wù)亲詈米C明。